三星将第 8 代 V-NAND 推向高速档 为下一代 PCIe 5 SSD 增压

导读 三星周一宣布,它已开始批量生产其第 8 代垂直 NAND (V-NAND) 存储芯片,采用 1 太比特 (Tb) 单元 (TLC) 形式。三星最新的 V-N

三星周一宣布,它已开始批量生产其第 8 代垂直 NAND (V-NAND) 存储芯片,采用 1 太比特 (Tb) 单元 (TLC) 形式。三星最新的 V-NAND 解决方案被誉为业界最高的位密度,它拥有当今最高的存储容量,可驱动更大容量的固态硬盘 (SSD),此外还具有令人印象深刻的速度提升。

这些芯片专为最终将用于下一代企业设置的存储解决方案而设计。它们基于 Toggle DDR 5.0 接口,这是最新的 NAND 闪存标准,输入和输出 (I/O) 速度高达每秒 2.4 吉比特 (Gbps)。与上一代相比,性能提升了 1.2 倍。

“随着市场对更密集、更大容量的存储需求推动更高的 V-NAND 层数,三星采用其先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度,同时避免通常在缩减时发生的单元间干扰,”三星电子闪存产品和技术执行副总裁 SungHoi Hur 说。

“我们的第八代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求,并使我们更好地定位以提供更多差异化的产品和解决方案,这将成为未来存储创新的基础,”Hur 补充道。

企业部门首先获得尖端技术的机会并不罕见(尽管并不总是这样)。因此,看看这些芯片在下一代 PCIe 5 存储解决方案中实现的速度将会很有趣。

这在很大程度上取决于控制器硬件。在消费者方面,PCIe 5.0 x4 提供高达约 16GB/s 的带宽。几个月前,Adata 发布了一对高速 PCIe 5 SSD,可提供高达 14GB/s 的连续性能。